（中央社记者许秩维台北14日电）国立台湾师范大学物理学系和美国加州理工学院合作开发新技术，实现仅0.65奈米厚量子记忆材料，具非挥发性记忆特性且能在极低温下稳定运作，为量子记忆体应用提供新可能性。
台师大今天发布新闻稿表示，物理系教授陆亭桦和蓝彦文、博士后研究员张文豪、博士生郝笃行与美国加州理工学院教授叶乃裳合作突破量子记忆体应用新技术，研究成果2024年12月发表于期刊「先进材料（Advanced Materials） 」，为全球量子科技及半导体产业提供崭新发展方向。
研究团队设计特殊场效电晶体结构，在超低温和高磁场环境下，发现巨大电滞现象，表现出类似铁电材料「蝴蝶型滞后」曲线；这项技术解决传统铁电材料在缩小到奈米尺度后无法保持电极化难题，实现仅0.65奈米厚量子记忆材料，具非挥发性记忆特性且能在极低温下稳定运作。
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研究发现磁场诱发的非对称晶格膨胀，破坏单层二硫化钼镜像对称性，导致类铁电极性有序产生，提供全新方法操控单层材料物理特性，开启在极低温非挥发性记忆体、超灵敏磁场感测器与奈米电子元件等技术应用上无限可能性。
研究团队表示，材料有巨大应用潜力，特别是在量子记忆体领域，由于在低温环境下仍能稳定保持电极化，这项技术为量子记忆体和记忆体内计算技术的实现提供新思路和可能性，未来这种新型记忆材料可能进一步缩小尺寸，提升储存容量和运算速度，在量子计算领域突破。（编辑：李明宗）1140114